Оперативная память Samsung M378A5143EB1-CPB DDR4 4GB
- Радиатор Нет
- Напряжение питания 1.2 В
- Объем одного модуля 4 ГБ
- Activate to Precharge Delay (tRAS) 42
- RAS to CAS Delay (tRCD) 15
- Row Precharge Delay (tRP) 15
- Тип памяти DDR DDR4
- Форм-фактор UDIMM
- Количество модулей в комплекте 1
- Частота памяти 2133 МГц
- CAS Latency (CL) 15
- Объём памяти комплекта 4 ГБ
- Пропускная способность 1700 МБ/сек
Оперативная память Samsung M378A5143EB1-CPB DDR4 4GB отзывы
| 0 | ||
| 0 | ||
| 0 | ||
| 0 | ||
| 0 |
Оставьте отзыв об этом товаре первым!